Охотник Галина Григорівна    
Меню сайту
Категорії розділу
Шкільні новини [5]
Новини освіти [19]
Наука і Технології [1114]
Новини космонавтики [151]
Методичний кабінет [7]
Хмаринка тегів
Міні-чат
Конкурси

конкурс сайтов
Наше опитування
Оцініть мій сайт
Всього відповідей: 382
Статистика
Форма входу
Соціальні мережі
Популярні програми
Головна » 2013 » Липень » 1 » После кремния: транзисторы без полупроводников
11:08
После кремния: транзисторы без полупроводников
Так как в качестве основы нового транзистора использован изолятор, он не имеет недостатка, характерного для полупроводниковых транзисторов – утечек тока, вызывающих потери энергии на нагрев.

Группа Япа – не первая, которой удалось получить транзисторы, использующие туннельный эффект. Но такие транзисторы, созданные другими группами,  работоспособны только при очень низких температурах.

Секрет прибора Япа – в его субмикронных размерах (длина  – 1 мкм, ширина – 20 нм). Расстояния между квантовыми точками, составляющие единицы нанометров, делают возможным управление движением электронов при комнатной температуре. Длина транзистора (расстояние между электродами) теоретически может быть уменьшена до долей микрона.

По сообщению Michigan Technological University


Добавлено: 25.06.13
Категорія: Наука і Технології | Переглядів: 223 | Додав: звезда | Рейтинг: 5.0/1
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]
Пошук
Фраза дня
Календар
«  Липень 2013  »
ПнВтСрЧтПтСбНд
1234567
891011121314
15161718192021
22232425262728
293031
Свята та події
Календар свят і подій. Листівки, вітання та побажання
Прогноз погоди
Дніпродзержинськ 
Архів записів
Час життя сайту
Друзі сайту
Освітній портал Сайт о космосе,НЛО,аномалиях Банк Интернет-портфолио учителей Освітній портал MyReferatik
Новини
Copyright MyCorp © 2018Створити безкоштовний сайт на uCoz