Але у нового фотогальванічного ефекту немає подібних обмежень. Єдиним обмеженням у даному випадку є те, що новий ефект виникає лише у разі використання матеріалів, які не володіють так званою центральною симетрією структури.

У своїй роботі дослідники використовували “грубу силу”, вони взяли і з досить великим зусиллям ткнули наконечником атомно-силового мікроскопа в поверхню кристала. Створене механічне напруження було настільки великим, що воно порушило центральну симетрію структури кристала і на його поверхні почали проявлятися нові фотогальванічні ефекти. Такий підхід спрацював по відношенню до кристалів різного типу, титанату стронцію, оксиду титану і кремнію. “У нового фотогальванічного ефекту не має жодних термодинамічних меж через те, що він не заснований на використанні напівпровідникового p-n переходу” – пишуть дослідники.

Поки ще рано говорити про значення ефективності, яку будуть мати сонячні батареї на основі нового ефекту. Орієнтовну відповідь на це питання можуть дати лише подальші експерименти і дослідження в даному напрямку. Крім цього, і з боку практичної реалізації є маса питань.

“Ми бачимо щось, на зразок матриці мікроскопічних шипів, які натискають на поверхню елемента звичайної сонячної батареї” – пишуть дослідники, – “Це найпростіший і зрозумілий спосіб, але його навряд чи можна віднести до розряду дешевого і розумного вирішення. Іншим варіантом є створення в структурі кремнію дефектів, які створюють необхідне механічне напруження, але тоді виникнуть питання, пов’язані з надійністю і довговічністю таких сонячних батарей”.

І на закінчення слід зазначити, що вчені збираються продовжувати працювати в даному напрямку, вивчаючи особливості нового фотогальванічного ефекту і знаходячи, паралельно з цим, способи, які підходять для його подальшого практичного застосування.