Як вже згадувалось вище, дослідники створили “нейронний транзистор” або “транзисторний нейрон”, який здатний виконувати функції підсумовування сигналів і обчислювати порогові значення. Цей транзистор виготовлений не з традиційного кремнію, а з двовимірного шару дисульфіду молібдену (MoS2, молібденіту), матеріалу, що входить у новий клас напівпровідників, які називаються перехідними металевими дихалькогенідами.

Даний транзистор має два керуючих електроди-затвори, а керувати роботою транзистора можна як за допомогою кожного з затворів окремо, так і за допомогою відразу двох затворів одночасно. В останньому випадку транзистор виконує функцію підсумовування сигналів. У своїх дослідженнях вчені продемонстрували, що створений ними напівпровідниковий прилад здатний виконувати і ряд інших логічних операцій за допомогою певної комбінації сигналів на керуючих електродах.

Однією з переваг нового “транзисторного нейрону” є швидкість його роботи. Відзначимо, що даний випадок є не першим випадком створення подібних напівпровідникових пристроїв, але всі створені раніше такі пристрої могли працювати зі швидкістю 0.05 Гц. Новий  “транзисторний нейрон” здатний працювати на швидкостях від 0.01 до 15 Гц, що дозволить в майбутньому створити ряд швидкодіючих нейроморфних апаратних засобів на його основі. Для порівняння, нейрони головного мозку працюють з середньою швидкістю 5 Гц.

У найближчому майбутньому дослідники планують додати в структуру “транзисторного нейрону” ще кілька додаткових керуючих електродів, що дозволить їм отримати більш реалістичний аналог живого нейрону, що має велику кількість портів” для вхідних сигналів. Крім цього, дослідники планують об’єднати такий багатозатворний транзистор з мемрістором, електронним компонентом, який буде виконувати роль штучного синапсу.