| В работе говорится, что полученные таким образом димеры
ориентировались тройками - в каждой тройке пары атомов кремния
располагались строго друг над другом (если смотреть на поверхность
сверху), причем пары водород-кремний и водород-водород-фосфор-кремний
были расставлены в матрице в шахматном порядке. Нагрев полученной
конструкции до 350 градусов Цельсия приводит к тому, что один из атомов
кремния замещается на атом фосфора.
Этот процесс регистрировался сканирующим туннельным микроскопом,
после чего нагрев прекращался. Отличительной особенностью новой
технологии, по словам ученых, является высокая точность размещения
атома фосфора - погрешность, по сути, равна размеру кремниевой решетки,
то есть 3,8 ангстрем. Чтобы превратить атом в транзистор, аналогичным
образом на некотором отдалении от него были вытравлены контакты.
Например, эммитер и коллектор располагались на расстояниях 9,2 и 9,6
нанометра от атома фосфора соответственно. Затвор был реализован парой
контактов, перпендикулярных линии эммитер-коллектор и расположенных на
расстоянии 54 нанометра от атома фосфора каждый. Работает такой
транзистор только при очень низких (гелиевых) температурах. Сами ученые
говорят, что он пока далек от практического применения - скорее, это
практическая демонстрация возможностей миниатюризации.
По материалам: Лента.ру.
|
