Для зменшення розмірів транзистора вчені IBM використовували нову технологію, яка дозволила їм встановити на підкладці електроди, розміром 10 нанометрів, які подають або відводять електричний струм від вуглецевої нанотрубки. Ці електроди виготовлені з молібдену, матеріалу, який добре поєднується і контактує з вуглецем на кінцях нанотрубок. А додавання кобальту до матеріалу електродів дозволило проводити технологічний процес при нижчій температурі.

Але для того, щоб транзистор можна було використовувати в практичних цілях, він повинен мати можливість проводити більший електричний струм, ніж може провести через себе одна вуглецева нанотрубка. Вченим вдалося “загнати” паралельно кілька нанотрубок, довжина яких дорівнювала лише 7 нанометрів і надійно з’єднати їх кінці з молібденово-кобальтовими електродами.

В результаті всього перерахованого вище повний розмір структури нанотрубочного транзистора склав лише 40 нанометрів. Так як перші такі транзистори є лише дослідними зразками, приводити їх точні характеристики не має ніякого сенсу, варто згадати лише, що нові транзистори мають більшу швидкість роботи і ефективність, ніж найближчі кремнієві аналоги.

Найближчим часом фахівці компанії IBM планують зайнятись виготовлення нанотрубчатих транзисторів, в яких будуть використані нанотрубки довжиною 5 нанометрів. І такі транзистори, за рахунок меншої довжини каналу, зможуть працювати на більш високих швидкостях, споживаючи менше енергії, ніж потрібно транзисторам з 7-нм нанотрубками.