Охотник Галина Григорівна    
Меню сайту
Категорії розділу
Шкільні новини [5]
Новини освіти [19]
Наука і Технології [1063]
Новини космонавтики [133]
Методичний кабінет [7]
Хмаринка тегів
Міні-чат
Конкурси

конкурс сайтов
Наше опитування
Ви, відвідувач сайту:
Всього відповідей: 520
Статистика
Форма входу
Соціальні мережі
Популярні програми
Головна » 2016 » Березень » 3 » Двухмерный полупроводник открывает дорогу более быстрой электронике
17:58
Двухмерный полупроводник открывает дорогу более быстрой электронике
Впервые учёные задумались о преимуществах двухмерных полупроводников около пяти лет назад. С тех пор были испытаны свойства таких материалов, какграфенборофен и дисульфид молибдена. Но все они относились кполупроводникам N-типа, в которых носителем заряда могут быть только отрицательно заряженные электроны. Однако для создания любого электронного устройства также требуются материалы P-типа, которые проводят положительный заряд (так называемые дырки).

Структура, открытая командой под руководством Ашутоша Тивари (Ashutosh Tiwari), стала первым стабильным двухмерным полупроводником P-типа, в котором роль положительных зарядов выполняют те самые путешествующие по материалу дырки.

"Теперь, когда у нас есть двухмерные полупроводники обоих типов, мы будем двигаться вперёд гораздо быстрее", – говорит Тивари в пресс-релизеуниверситета.

Транзисторы на основе нового материала будут гораздо меньше кремниевых, что позволит делать более компактные процессоры или увеличивать их мощность.

Учёные считают, что их открытие позволит создавать компьютеры, которые будут более чем в сто раз быстрее современных. Кроме того, прямолинейное движение частиц в плоском полупроводнике сопровождается меньшим "трением", чем постоянные "прыжки" в трёхмерных структурах. Это означает, что элементы системы будут меньше нагреваться и медленнее расходовать заряд батареи, что необычайно важно для мобильных устройств.

Тивари говорит, что конкуренция на рынке высока, и новая разработка обязательно вызовет большой интерес. Он считает, что уже через два-три года мы увидим как минимум первые прототипы устройств на двухмерных полупроводниках.

Подробные результаты исследования были опубликованы в журнале Advanced Electronic Materials.

Категорія: Наука і Технології | Переглядів: 128 | Додав: звезда | Рейтинг: 5.0/1
Всього коментарів: 0
Додавати коментарі можуть лише зареєстровані користувачі.
[ Реєстрація | Вхід ]
Пошук
Фраза дня
Календар
«  Березень 2016  »
ПнВтСрЧтПтСбНд
 123456
78910111213
14151617181920
21222324252627
28293031
Свята та події
Календар свят і подій. Листівки, вітання та побажання
Прогноз погоди
Дніпродзержинськ 
Архів записів
Час життя сайту
Друзі сайту
Освітній портал Сайт о космосе,НЛО,аномалиях Банк Интернет-портфолио учителей Освітній портал MyReferatik
Новини
Copyright MyCorp © 2017Створити безкоштовний сайт на uCoz