По мнению Фохта,
основной проблемой в предыдущих работах было то, что единственным
доказательством результата служили снимки, сделанные сканирующим
туннельным микроскопом: из одних только фотографий невозможно сделать
какие-либо серьезные выводы и сопоставить параметры полученного
материала с теоретическими моделями. Нередко расстояние между атомами
кремния, видимое на снимках, вообще не укладывалось ни в какие рамки.
Кроме того, Фохт с коллегами попробовал воспроизвести один из
предложенных процессов для получения силицена – и потерпели неудачу.
Поэтому авторы решили найти собственное решение и вырастили одноатомный слой кремния, осаждая его
на серебряной подложке. Затем они изучили структуру, физические и
химические свойства полученного материала – и лишь тогда уверенно
убедились, что перед ними именно силицен. И расстояния между атомами
кремния, и углы связей между ними отлично согласовались с теоретическими
расчетами.
Авторы считают, что пока еще рано
говорить о том, насколько «хороши» будут электропроводящие свойства
силицена и сможет ли он в этом смысле составить конкуренцию графену. «Мы
находимся лишь на самых первых шагах изучения этого вещества, - говорит
Фохт, - в конце концов, существуют и другие – например, сложенный из
германия германицен».
Добавлено: 26.04.12 |